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内地含税价

1

￥27.774739
10

￥26.202584
100

￥24.719423
500

￥23.320205
1000

￥22.000192

ON Semiconductor NTMFD0D9N02P1E

Name: NTMFD0D9N02P1E
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NTMFD0D9N02P1E
Price: 27.77 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NTMFD0D9N02P1E

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NTMFD0D9N02P1E

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

8-PowerWDFN

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

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NTMFD0D9N02P1E ON Semiconductor IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

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NTMFD0D9N02P1E详情

技术参数

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ON Semiconductor NTMFD0D9N02P1E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-PowerWDFN
供应商器件包装

8-PQFN (5x6)
Package

零售包装
厂商

Glenair
Product Status

活跃
Base Product Number

NTMFD0D9
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A (Ta), 30A (Ta)
系列

*
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
技术

MOSFET (Metal Oxide)
配置

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
功率 - 最大

960mW (Ta), 1.04W (Ta)
场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Rds On(Max)@Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 10V, 0.72mOhm @ 41A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 340µA, 2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC, 30nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)

30V, 25V
场效应管特性

-

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