ON Semiconductor NTMFD0D9N02P1E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

供应商器件包装

8-PQFN (5x6)

Package

零售包装

厂商

Glenair

Product Status

活跃

Base Product Number

NTMFD0D9

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A (Ta), 30A (Ta)

系列

*

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

配置

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

功率 - 最大

960mW (Ta), 1.04W (Ta)

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Rds On(Max)@Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 10V, 0.72mOhm @ 41A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 340µA, 2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC, 30nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V, 25V

场效应管特性

-