ON Semiconductor NTND31225CZTAG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

5 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-XFLGA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

220mA Ta 127mA Ta

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2015

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PBCC-N6

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125mW

功率 - 最大

125mW Ta

场效应管类型

N and P-Channel Complementary

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 100mA, 4.5V, 5 Ω @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12.3pF @ 15V 12.8pF @ 15V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

栅极至源极电压(Vgs)

8V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

Standard

高度

440μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant