ON Semiconductor NTND3184NZTAG

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-XFLGA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

220mA Ta

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

JESD-30代码

R-PBCC-N6

配置

SEPERATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12.3pF @ 15V

漏源电压 (Vdss)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

DS 击穿电压-最小值

23V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.25W

RoHS状态

ROHS3 Compliant