ON Semiconductor NTTD1P02R2

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

30 ns

Number of Elements

2

已出版

2006

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

500mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-1.45A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

160m Ω @ 1.45A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

265pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 4.5V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

1.45A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.16Ohm

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅