ON Semiconductor NTZD3152PT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

10 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

500mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

250mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-430mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NTZD3152P

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250mW

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

900m Ω @ 430mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

175pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.5nC @ 4.5V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

430mA

栅极至源极电压(Vgs)

6V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.43A

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

高度

600μm

长度

1.7mm

宽度

1.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅