ON Semiconductor NVMFD5485NLT1G

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

Turn Off Delay Time

27.8 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

2.9W

引脚数量

8

通道数量

2

元素配置

Dual

接通延迟时间

9.5 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

44m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

560pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

26.6ns

漏源电压 (Vdss)

60V

下降时间（典型值）

23.7 ns

连续放电电流(ID)

5.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅