ON Semiconductor NVMFD5853NWFT1G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

3.1W

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1225pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 10V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

40V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

12A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

53A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅