ON Semiconductor NVMFD5873NLT1G

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

3.1W

终端形式

FLAT

引脚数量

8

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-F6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

13m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1560pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.013Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

190A

雪崩能量等级（Eas）

40 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅