NVMFD5875NLWFT3G
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ON Semiconductor NVMFD5875NLWFT3G

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型号

NVMFD5875NLWFT3G

utmel 编号

1807-NVMFD5875NLWFT3G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

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NVMFD5875NLWFT3G
NVMFD5875NLWFT3G ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

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NVMFD5875NLWFT3G详情

ON Semiconductor NVMFD5875NLWFT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    LIFETIME (Last Updated: 6 days ago)

  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 引脚数

    8

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2015

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    3.2W

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 功率 - 最大

    3.2W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    33m Ω @ 7.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    540pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    20nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 连续放电电流(ID)

    7A

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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NVMFD5875NLWFT3G拓展信息

FDG6301N
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ON Semiconductor

NDC7001C
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ON Semiconductor

FDS4935BZ
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ON Semiconductor

FDC6303N
FDC6303N

ON Semiconductor

FDC6301N
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ON Semiconductor

FDS8958A
FDS8958A

ON Semiconductor

FDC6333C
FDC6333C

ON Semiconductor

FDS4935A
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ON Semiconductor

FDG8850NZ
FDG8850NZ

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FDS6898A
FDS6898A

ON Semiconductor

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