NVMFD5C650NLWFT1G
NVMFD5C650NLWFT1G

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

ON Semiconductor NVMFD5C650NLWFT1G

  • 收藏
  • 对比

型号

NVMFD5C650NLWFT1G

utmel 编号

1807-NVMFD5C650NLWFT1G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
NVMFD5C650NLWFT1G
NVMFD5C650NLWFT1G ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

请发送询价,我们将立即回复。

库存:150000

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

NVMFD5C650NLWFT1G详情

ON Semiconductor NVMFD5C650NLWFT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    48 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    21A Ta 111A Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 功率 - 最大

    3.5W Ta 125W Tc

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    4.2m Ω @ 20A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.2V @ 98μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2546pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    16nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 场效应管特性

    Standard

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

NVMFD5C650NLWFT1G拓展信息

FDG6301N
FDG6301N

ON Semiconductor

NDC7001C
NDC7001C

ON Semiconductor

FDS4935BZ
FDS4935BZ

ON Semiconductor

FDC6303N
FDC6303N

ON Semiconductor

FDC6301N
FDC6301N

ON Semiconductor

FDS8958A
FDS8958A

ON Semiconductor

FDC6333C
FDC6333C

ON Semiconductor

FDS4935A
FDS4935A

ON Semiconductor

FDG8850NZ
FDG8850NZ

ON Semiconductor

FDS6898A
FDS6898A

ON Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z