ON Semiconductor NVTJD4001NT1G

工厂交货时间

10 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)

表面安装

YES

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

安装类型

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

94 ns

Number of Elements

2

已出版

2007

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

272mW

终端形式

鸥翼

引脚数量

6

参考标准

AEC-Q101

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 10mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

33pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.3nC @ 5V

上升时间

23ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

82 ns

连续放电电流(ID)

250mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.25A

漏极-源极导通最大电阻

2.5Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

反馈上限-最大值 (Crss)

12 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅