ON Semiconductor NXH80T120L2Q0SG
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NXH80T120L2Q0SG
1807-NXH80T120L2Q0SG
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20
--最小包装量--
NXH80T120L2Q0SG详情
ON Semiconductor NXH80T120L2Q0SG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
50 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
Module
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
操作温度
-40°C~150°C TJ
已出版
2015
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
146W
配置
T-Type
功率 - 最大
146W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
2.8V
最大集电极电流
65A
最大集极截止电流
100μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
输入电容
1.99nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.8V @ 15V, 80A
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
1.99nF @ 20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NXH80T120L2Q0SG拓展信息
ON Semiconductor
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