ON Semiconductor SGF5N150UFTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

44 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

引脚数

3

质量

6.962g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.5kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

4.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 5A, 10 Ω, 10V

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

1.5kV

最大功率耗散

62.5W

额定电流

5A

元素配置

Single

功率耗散

62.5W

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

接通延迟时间

10 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.5kV

最大集电极电流

10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1500V

接通时间

25 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

5.5V @ 10V, 5A

关断时间-标准值（toff)

100 ns

闸门收费

30nC

集极脉冲电流（Icm）

20A

Td（开/关）@25°C

10ns/30ns

开关能量

190μJ (on), 100μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

4V

最大下降时间 (tf)

120ns

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅