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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥34.724621
10
¥32.759079
100
¥30.904786
500
¥29.15546
1000
¥27.505149
ON Semiconductor SGF80N60UFTU
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- 对比
SGF80N60UFTU
1807-SGF80N60UFTU
晶体管 - IGBT - 单个
TO-3P-3 Full Pack
大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-3PF Rail
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SGF80N60UFTU详情
ON Semiconductor SGF80N60UFTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
包装/外壳
TO-3P-3 Full Pack
安装类型
通孔
底架
通孔
质量
6.962g
晶体管元件材料
SILICON
Test Conditions
300V, 40A, 5 Ω, 15V
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
110W
额定电流
40A
JESD-30代码
R-PSFM-T3
元素配置
Single
箱体转运
ISOLATED
输入类型
Standard
功率 - 最大
110W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
80A
接通时间
85 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.6V @ 15V, 40A
关断时间-标准值(toff)
310 ns
闸门收费
175nC
集极脉冲电流(Icm)
220A
Td(开/关)@25°C
23ns/90ns
开关能量
570μJ (on), 590μJ (off)
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SGF80N60UFTU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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