ON Semiconductor ZTX614

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

250mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.25V

Number of Elements

1

hFEMin

5000

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2002

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

Reach合规守则

unknown

额定电流

800mA

基本部件号

ZTX614

极性

NPN

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1.25V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10000 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

JEDEC-95代码

TO-226AE

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.25V @ 8mA, 800mA

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅