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技术文档

Qorvo QPD1018

Name: QPD1018
Brand: Qorvo
SKU: 1980-QPD1018
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

型号

QPD1018

品牌

utmel 编号

1980-QPD1018

商品类别

晶体管 - JFET

封装

17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF JFET Transistors 2.7-3.1 GHz, 500W,50V,GaN RF IMFET

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QPD1018 Qorvo RF JFET Transistors 2.7-3.1 GHz, 500W,50V,GaN RF IMFET

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QPD1018详情

技术参数

Qorvo QPD1018重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
Shipping Restrictions

This product may require additional documentation to export from the United States.
RoHS

Details
Transistor Polarity

N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

145 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

- 7 V to 2 V
Id - Continuous Drain Current

15 A
Maximum Drain Gate Voltage

55 V
Minimum Operating Temperature

- 40 C
Maximum Operating Temperature

+ 85 C
Pd - Power Dissipation

522 W
Mounting Styles

SMD/SMT
Development Kit

QPD1018EVB
Moisture Sensitive

有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

18
系列

QPD1018
工作频率

2.7 GHz to 3.1 GHz
配置

Single
晶体管类型

HEMT
增益

17.7 dB

0个相似型号

QPD1018拓展信息

热销零件