QPD1003
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Qorvo QPD1003

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型号

QPD1003

品牌

Qorvo

utmel 编号

1980-QPD1003

商品类别

晶体管 - JFET

封装

RF-565

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF JFET Transistors 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN

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QPD1003 Qorvo RF JFET Transistors 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN

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QPD1003详情

Qorvo QPD1003重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    RF-565

  • RoHS

    Details

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    50 V

  • Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

    145 V

  • Id - Continuous Drain Current

    15 A

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 85 C

  • Pd - Power Dissipation

    370 W

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Development Kit

    QPD1003PCB401

  • Moisture Sensitive

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    18

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    - 2.8 V

  • Part # Aliases

    1131389 1131389

  • Unit Weight

    3.691596 oz

  • 包装

    Tray

  • 系列

    QPD1003

  • 工作频率

    1.2 GHz to 1.4 GHz

  • 配置

    Single

  • 输出功率

    540 W

  • 晶体管类型

    HEMT

  • 工作温度范围

    - 40 C to + 85 C

  • 增益

    19.9 dB

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