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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥483.570896
10
¥456.198957
100
¥430.376374
500
¥406.015451
1000
¥383.033442
QPD1009详情
Qorvo QPD1009重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
QFN-16
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
50 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
145 V
Id - Continuous Drain Current
700 mA
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Pd - Power Dissipation
17.5 W
Mounting Styles
SMD/SMT
Development Kit
QPD1009-EVB1
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
50
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 2.8 V
Part # Aliases
1132865 1132865
Unit Weight
0.203046 oz
RoHS
Details
包装
Tray
系列
QPD1009
工作频率
4 GHz
配置
Single
输出功率
17 W
晶体管类型
HEMT
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
增益
24 dB
QPD1009拓展信息
Qorvo
Qorvo
Qorvo
Qorvo
Qorvo
Qorvo
Qorvo
Qorvo
Qorvo
Qorvo







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