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首页 分立半导体产品 晶体管 - JFET QPD1022
QPD1022
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Qorvo QPD1022

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  • 对比

型号

QPD1022

品牌

Qorvo

utmel 编号

1980-QPD1022

商品类别

晶体管 - JFET

封装

QFN-16

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF JFET Transistors DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr

起订量

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QPD1022
QPD1022 Qorvo RF JFET Transistors DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr

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QPD1022详情

技术参数

Qorvo QPD1022重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    QFN-16

  • Moisture Sensitive

    有

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1000

  • RoHS

    Details

  • Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

    100 V

  • Id - Continuous Drain Current

    2.4 A

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 85 C

  • Pd - Power Dissipation

    17.5 W

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • 系列

    QPD1022

  • 包装

    Reel

  • 工作频率

    DC to 12 GHz

  • 晶体管类型

    HEMT

0个相似型号

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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