FPD3000
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RF Micro Devices Inc FPD3000

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型号

FPD3000

utmel 编号

2049-FPD3000

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE

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FPD3000
FPD3000 RF Micro Devices Inc Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE

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FPD3000详情

RF Micro Devices Inc FPD3000重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    RF MICRO DEVICES INC

  • Part Package Code

    DIE

  • Package Description

    UNCASED CHIP, R-XUUC-N

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    UNCASED CHIP

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.29.00.40

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    无铅

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-XUUC-N

  • 资历状况

    不合格

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    10 V

  • 场效应管技术

    高电子迁移率

  • 最高频段

    X 频带

  • 环境耗散-最大值

    7.3 W

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技术文档: RF Micro Devices Inc FPD3000.

FPD3000拓展信息

FPD2250SOT89
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RF Micro Devices Inc

RF7846TR13
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RF Micro Devices Inc

SPF-2086
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RF Micro Devices Inc

SPF-2000
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FPD1050
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SLD-1026Z
SLD-1026Z

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FPD200P70
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RF Micro Devices Inc

SHF-1000
SHF-1000

RF Micro Devices Inc

FPD2250SOT89CESR
FPD2250SOT89CESR

RF Micro Devices Inc

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