ROHM Semiconductor EMF9T2R

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Number of Elements

1

Voltage Rated

12V NPN 30V N Channel

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

应用

通用型

额定电流

500mA NPN 100mA N Channel

最大功率耗散

150mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

最大输出电流

100mA

极性

NPN, PNP

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

最大输出电压

12V

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN, N-Channel

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1A

漏极-源极导通最大电阻

8Ohm

转换频率

320MHz

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

集电极电流-最大值(IC)

0.5A

最小直流增益（hFE）

270

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant