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ROHM Semiconductor QSH29TR

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型号

QSH29TR

utmel 编号

2078-QSH29TR

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6

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QSH29TR ROHM Semiconductor TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6

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QSH29TR详情

ROHM Semiconductor QSH29TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    70V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    300mV

  • Number of Elements

    2

  • hFEMin

    500

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    1.25W

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 基本部件号

    QSH29

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Dual

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 晶体管类型

    2 NPN - Pre-Biased (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    60V

  • 最大集电极电流

    500mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    500 @ 200mA 5V

  • 最大集极截止电流

    500nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 1mA, 100mA

  • 最大击穿电压

    70V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 电阻基(R1)

    10k Ω

  • 连续集电极电流

    500mA

  • 高度

    950μm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    1.8mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ROHM Semiconductor QSH29TR.

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