ROHM Semiconductor UMF21NTR
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UMF21NTR
2078-UMF21NTR
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
1最小包装量--
UMF21NTR详情
ROHM Semiconductor UMF21NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA 500mA
Number of Elements
2
hFEMin
30
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2003
JESD-609代码
e2
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
-12V
最大功率耗散
150mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-500mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*MF21
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA 5V / 270 @ 10mA 2V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V 12V
转换频率
250MHz
最大击穿电压
12V
频率转换
250MHz 260MHz
电阻基(R1)
10k Ω
电阻-发射极基极(R2)
10k Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
UMF21NTR拓展信息








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