UMX5NTR
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ROHM Semiconductor UMX5NTR

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型号

UMX5NTR

utmel 编号

2078-UMX5NTR

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS 2NPN 11V 0.05A 6UMT

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UMX5NTR ROHM Semiconductor TRANS 2NPN 11V 0.05A 6UMT

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UMX5NTR详情

ROHM Semiconductor UMX5NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    5 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    11V

  • Number of Elements

    2

  • hFEMin

    56

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2010

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 电压 - 额定直流

    11V

  • 最大功率耗散

    150mW

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    50mA

  • 基本部件号

    MX5

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    150mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    3.2 GHz

  • 晶体管类型

    2 NPN (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    500mV

  • 最大集电极电流

    50mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    56 @ 5mA 10V

  • 最大集极截止电流

    500nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    500mV @ 5mA, 10mA

  • 转换频率

    3200MHz

  • 最大击穿电压

    11V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    20V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    3V

  • 连续集电极电流

    50mA

  • 集电极-基极电容-最大值

    1.55pF

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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