K7S3236T4C-FC400
K7S3236T4C-FC400

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Samsung Semiconductor K7S3236T4C-FC400

  • 收藏
  • 对比

型号

K7S3236T4C-FC400

utmel 编号

2107-K7S3236T4C-FC400

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

QDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
K7S3236T4C-FC400
K7S3236T4C-FC400 Samsung Semiconductor QDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

K7S3236T4C-FC400详情

Samsung Semiconductor K7S3236T4C-FC400重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    165

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Part Package Code

    BGA

  • Package Description

    15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

  • Access Time-Max

    0.45 ns

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    400 MHz

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words

    1048576 words

  • Number of Words Code

    1000000

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    LBGA

  • Package Equivalence Code

    BGA165,11X15,40

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, LOW PROFILE

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    流水线结构

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    165

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B165

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.95 mA

  • 组织结构

    1MX36

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.4 mm

  • 内存宽度

    36

  • 待机电流-最大值

    0.35 A

  • 记忆密度

    37748736 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    SEPARATE

  • 内存IC类型

    QDR SRAM

  • 待机电压-最小值

    1.7 V

  • 长度

    17 mm

  • 宽度

    15 mm

0个相似型号

技术文档: Samsung Semiconductor K7S3236T4C-FC400.

K7S3236T4C-FC400拓展信息

K4S281632O-LI75T00
K4S281632O-LI75T00

Samsung Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z