Samsung Semiconductor M378B1G73QH0-CK0

表面安装

NO

终端数量

240

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

4A994.a

Automotive

无

PPAP

无

Module

DRAM模块

Module Density

8Gbyte

Number of Chip per Module

16

Chip Density (bit)

4G

Data Bus Width (bit)

64

Max. Access Time (ns)

0.225

Maximum Clock Rate (MHz)

1600

Chip Configuration

512Mx8

Chip Package Type

FBGA

Minimum Operating Supply Voltage (V)

1.425

Typical Operating Supply Voltage (V)

1.5

Maximum Operating Supply Voltage (V)

1.575

Operating Current (mA)

1040

Minimum Operating Temperature (°C)

0

Maximum Operating Temperature (°C)

95

Module Sides

Double

ECC Support

无

Number of Ranks

Dual

Number of Chip Banks

8

CAS Latency

11

SPD EEPROM Support

有

Mounting

Socket

Package Height

30

Package Width

4(Max)

Package Length

133.35

PCB changed

240

Supplier Package

UDIMM

Lead Shape

No Lead

Package Description

DIMM,

Package Style

微电子组件

Number of Words Code

1000000000

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Max

85 °C

Manufacturer Part Number

M378B1G73QH0-CK0

Number of Words

1073741824 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.5 V

Package Code

DIMM

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.67

零件状态

Obsolete

附加功能

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

240

JESD-30代码

R-XDMA-N240

电源电压-最大值(Vsup)

1.575 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

1.425 V

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

组织结构

1Gx64

座位高度-最大

30.15 mm

内存宽度

64

记忆密度

68719476736 bit

锁相环

无

内存IC类型

DDR内存模块

访问模式

双库页面突发

自我刷新

有

模块类型

240UDIMM

宽度

4 mm

长度

133.35 mm