S524C80D41-DCB0
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Samsung Semiconductor S524C80D41-DCB0

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型号

S524C80D41-DCB0

utmel 编号

2107-S524C80D41-DCB0

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8,

起订量

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S524C80D41-DCB0
S524C80D41-DCB0 Samsung Semiconductor Description: EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8,

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S524C80D41-DCB0详情

Samsung Semiconductor S524C80D41-DCB0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    8

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Package Description

    DIP, DIP8,.3

  • Number of Words

    512 words

  • Number of Words Code

    512

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Operating Temperature-Min

    -25 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    DIP

  • Package Equivalence Code

    DIP8,.3

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 端子间距

    2.54 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PDIP-T8

  • 资历状况

    不合格

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电流-最大值

    0.003 mA

  • 组织结构

    512X8

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.000005 A

  • 记忆密度

    4096 bit

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 内存IC类型

    EEPROM

  • 串行总线类型

    I2C

  • 耐力

    1000000 Write/Erase Cycles

  • 数据保持时间

    100

  • 写入保护

    HARDWARE

  • I2C控制字节

    1010DDMR

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技术文档: Samsung Semiconductor S524C80D41-DCB0.

S524C80D41-DCB0拓展信息

K4S281632O-LI75T00
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Samsung Semiconductor

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