Sharp Microelectronics GP1S092HCPI

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

操作温度

-25°C~85°C

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

类型

Unamplified

功能数量

1

输出配置

Phototransistor

输出电流

20mA

回应时间

50μs, 50μs

上升时间

50μs

正向电压

1.2V

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.079 (2mm)

正向电流-最大

0.05A

感测方法

Through-Beam

最大击穿电压

35V

最大直流驱动电流（If）

50mA

暗电流（最大）

100nA

槽宽-Nom

2mm

通态集电极电流标称

0.1mA

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅