Sharp Microelectronics GP1S25

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

操作温度

-25°C~85°C

包装

Bulk

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

类型

Unamplified

功能数量

1

Reach合规守则

unknown

输出配置

Phototransistor

输出电流

20mA

回应时间

35μs, 35μs

上升时间

35μs

正向电压

1.2V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.063 (1.6mm)

正向电流-最大

0.05A

感测方法

Through-Beam

最大直流驱动电流（If）

50mA

暗电流（最大）

100nA

槽宽-Nom

1.6mm

通态集电极电流标称

0.05mA

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅