Sharp Microelectronics GP1S25J0000F

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Current-Collector (Ic) (Max)

20mA

Number of Elements

1

操作温度

-25°C~85°C

包装

Bulk

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

类型

Unamplified

最高工作温度

85°C

最小工作温度

-25°C

输出配置

Phototransistor

功率耗散

100mW

正向电流

50mA

回应时间

35μs, 35μs

上升时间

100μs

下降时间（典型值）

100 μs

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.063 (1.6mm)

电压 - 集射极击穿（最大值）

35V

反向击穿电压

6V

感测方法

Through-Beam

最大直流驱动电流（If）

50mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅