Sharp Microelectronics GP1S74PJ000F

底架

Snap in

安装类型

Snap-In

包装/外壳

Module, Connector

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Number of Elements

1

操作温度

-25°C~85°C

已出版

1997

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

类型

Unamplified

端子表面处理

Tin (Sn)

功能数量

1

输出配置

Phototransistor

功率耗散

75mW

输出电流

20mA

正向电流

50mA

回应时间

3μs, 4μs

上升时间

15μs

正向电压

1.2V

下降时间（典型值）

20 μs

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.197 (5mm)

反向击穿电压

6V

感测方法

Through-Beam

槽宽-Nom

5mm

通态集电极电流标称

0.5mA

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅