STMicroelectronics 2N1613

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

75V

最大功率耗散

800mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

2N16

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

元素配置

Single

增益带宽积

80MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 15mA, 150mA

转换频率

60MHz

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅