STMicroelectronics BUL216
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BUL216
2381-BUL216
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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TRANS NPN 800V 4A TO-220
--最小包装量--
BUL216详情
STMicroelectronics BUL216重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
90.718474mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
800V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1V
Number of Elements
1
hFEMin
12
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
800V
最大功率耗散
90W
额定电流
4A
基本部件号
BUL216
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
90W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
800V
最大集电极电流
4A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
12 @ 400mA 5V
最大集极截止电流
250μA
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
3V @ 660mA, 2A
集电极基极电压(VCBO)
1.6kV
发射极基极电压 (VEBO)
9V
VCEsat-最大值
3 V
关断时间-最大值(toff)
4020ns
高度
9.15mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUL216拓展信息















哦! 它是空的。