STMicroelectronics 2STF1360
- 收藏
- 对比
2STF1360
2381-2STF1360
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
立即发货

TRANS NPN 60V 3A SOT-89
--最小包装量--
2STF1360详情
STMicroelectronics 2STF1360重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
180mV
Number of Elements
1
hFEMin
160
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
1.4W
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
3A
频率
130MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
2STF13
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
1.4W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
130MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 150mA, 3A
转换频率
130MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.6mm
长度
4.6mm
宽度
2.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2STF1360拓展信息
















哦! 它是空的。