STMicroelectronics BD139

工厂交货时间

8 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

触点镀层

Tin

底架

通孔

引脚数

3

质量

90.718474mg

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

SOT-32-0016114E

Number of Elements

1

hFEMin

40

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

1.25W

额定电流

1.5A

基本部件号

BD139

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

1.25W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最大结点温度（Tj）

150°C

宽度

2.9mm

长度

7.8mm

高度

13.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅