STMicroelectronics BD140-16
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BD140-16
2381-BD140-16
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-225AA, TO-126-3
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Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Trnsistr
--最小包装量--
BD140-16详情
STMicroelectronics BD140-16重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-225AA, TO-126-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
SOT-32-0016114E
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-500mV
Current-Collector (Ic) (Max)
1.5A
Number of Elements
1
hFEMin
25
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.25W
基本部件号
BD140
元素配置
Single
功率耗散
1.25W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
-80V
最大集电极电流
-3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 2V 150MA
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
转换频率
75MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
-80V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
13.2mm
长度
7.8mm
宽度
2.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BD140-16拓展信息















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