STMicroelectronics BU508AW

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

700V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

10

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

125W

基本部件号

BU508

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

125W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

700V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

200μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 1.6A, 4.5A

发射极基极电压 (VEBO)

9V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

24.45mm

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅