STMicroelectronics 2N2369A

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

15V

最大功率耗散

360mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

200mA

频率

675MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

2N23

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

360mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

675MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

400nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 10mA, 100mA

转换频率

500MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

4.5V

VCEsat-最大值

0.5 V

集电极-基极电容-最大值

4pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅