STMicroelectronics 2N3904

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

2N39

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

270MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

200mV

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 5mA, 50mA

转换频率

270MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

关断时间-最大值（toff)

250ns

接通时间-最大值(ton)

70ns

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅