STMicroelectronics 2N4923

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

hFEMin

30

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

30W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

2N49

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

600mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

500μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 100mA, 1A

转换频率

3MHz

频率转换

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

VCEsat-最大值

0.6 V

集电极-基极电容-最大值

100pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅