STMicroelectronics 2N5195

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-1.2V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

40W

额定电流

-4A

频率

2MHz

基本部件号

2N51

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

40W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

2MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 1.5A 2V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 1A, 4A

转换频率

2MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

6.35mm

长度

25.4mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅