STMicroelectronics 2N5320
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2N5320
2381-2N5320
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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大陆
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39
--最小包装量--
2N5320详情
STMicroelectronics 2N5320重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
hFEMin
30
RoHS
Non-Compliant
最高工作温度
150 °C
最大功率耗散
10 W
极性
NPN
元素配置
Single
增益带宽积
50 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
100 V
最大集电极电流
1.2 A
集电极基极电压(VCBO)
100 V
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
无铅
无铅
2N5320拓展信息














哦! 它是空的。