STMicroelectronics 2N5416
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2N5416
2381-2N5416
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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STMICROELECTRONICS 2N5416 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -300 V, 15 MHz, 10 W, -1 A, 30 hFE
--最小包装量--
2N5416详情
STMicroelectronics 2N5416重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
引脚数
3
质量
4.535924g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-2.5V
Number of Elements
1
hFEMin
30
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
-350V
最大功率耗散
10W
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
额定电流
-1A
频率
15MHz
基本部件号
2N54
元素配置
Single
功率耗散
1W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
15MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
300V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 50mA 10V
最大集极截止电流
50μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
2.5V @ 5mA, 50mA
转换频率
15MHz
集电极基极电压(VCBO)
350V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
集电极-基极电容-最大值
25pF
直径
9.4mm
高度
6.6mm
长度
9.4mm
宽度
9.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2N5416拓展信息















哦! 它是空的。