STMicroelectronics 2N5680
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2N5680
2381-2N5680
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39
--最小包装量--
2N5680详情
STMicroelectronics 2N5680重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
30 MHz
Manufacturer Part Number
2N5680
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.2
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-5
最大耗散功率(Abs)
10 W
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
5
集电极-发射器电压-最大值
120 V
2N5680拓展信息














哦! 它是空的。