STMicroelectronics 2N6284

触点镀层

Tin

底架

Chassis Mount, Through Hole

安装类型

底座安装

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

引脚数

3

质量

6.40101g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

200°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

160W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

额定电流

20A

基本部件号

2N62

JESD-30代码

O-MBFM-P2

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

160W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

20A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 10A 3V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 200mA, 20A

转换频率

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

VCEsat-最大值

3 V

集电极-基极电容-最大值

400pF

高度

8.7mm

长度

39.5mm

宽度

26.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅