STMicroelectronics 2N6388

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

65W

额定电流

10A

基本部件号

2N63

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

极性

NPN

电压

80V

元素配置

Single

电流

10A

功率耗散

65W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 5A 3V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 100mA, 10A

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

VCEsat-最大值

3 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅