STMicroelectronics 2N7002

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350mW Tc

Turn Off Delay Time

7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

60V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

115mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

2N70

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350mW

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

43pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2nC @ 5V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±18V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

200mA

阈值电压

2.1V

栅极至源极电压(Vgs)

18V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

60V

双电源电压

60V

栅源电压

2.1 V

高度

1.2mm

长度

3.03mm

宽度

3.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅