STMicroelectronics 2SB772

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-1.1V

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

12.5W

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

额定电流

-3A

频率

100MHz

基本部件号

2SB7

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

12.5W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.1V @ 150mA, 3A

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

11.05mm

长度

7.8mm

宽度

2.9mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅