STMicroelectronics 2STBN15D100T4
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2STBN15D100T4
2381-2STBN15D100T4
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Trans Darlington NPN 100V 12A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
1最小包装量--
2STBN15D100T4详情
STMicroelectronics 2STBN15D100T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Number of Elements
1
hFEMin
750
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
70W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
基本部件号
2STBN15
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
极性
NPN
元素配置
Dual
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
70W
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
100V
最大集电极电流
12A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
750 @ 3A 3V
最大集极截止电流
100μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.3V @ 4mA, 4A
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2STBN15D100T4拓展信息















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